400G光模塊廣泛采用PAM4(4電平脈沖幅度調(diào)制)技術(shù),通過四個(gè)不同的信號(hào)電平進(jìn)行信號(hào)傳輸,每個(gè)符號(hào)周期可表示2個(gè)bit的邏輯信息(0、1、2、3)。這種技術(shù)使得信號(hào)的符號(hào)速率只需達(dá)到NRZ信號(hào)的一半,從而大大減少了傳輸通道造成的損耗。然而,信噪比會(huì)比NRZ信號(hào)惡化很多,且測(cè)量方法存在較大差異。下圖是典型的NRZ信號(hào)的波形、眼圖與PAM4信號(hào)的對(duì)比。
400G光模塊的主要高速接口包括電輸入接口、光輸出接口、光輸入接口、電輸出接口以及其他電源和低速管理接口。因此,電氣性能驗(yàn)證主要涉及光口發(fā)射機(jī)指標(biāo)、光口接收機(jī)容限、電口發(fā)射機(jī)指標(biāo)、電口接收機(jī)容限和系統(tǒng)測(cè)試。
測(cè)試環(huán)境:被測(cè)光模塊插在MCB夾具上,上電并配置正常工作。
測(cè)試內(nèi)容:誤碼儀產(chǎn)生PAM4電激勵(lì)信號(hào)送給光模塊一路電輸入端,使得被測(cè)光模塊輸出SSPRQ的光信號(hào),同時(shí)輸入串?dāng)_信號(hào)。輸出光信號(hào)經(jīng)時(shí)鐘恢復(fù)進(jìn)采樣示波器進(jìn)行參數(shù)測(cè)試。
關(guān)鍵指標(biāo):TDECQ(Transmitter and dispersion eye closure for PAM4),衡量光發(fā)射機(jī)經(jīng)過光通道后PAM4信號(hào)功率裕量的損失。TDECQ的參考測(cè)試方法如下圖所示:
測(cè)試環(huán)境:同上。
測(cè)試內(nèi)容:誤碼儀產(chǎn)生PAM4電激勵(lì)信號(hào)送給光模塊一路電輸入端,光模塊相鄰電通道上輸入PAM4的串?dāng)_信號(hào)。輸出光信號(hào)環(huán)回到光接收機(jī),并測(cè)試其電通道輸出的PRBS13Q信號(hào)參數(shù)。
關(guān)鍵指標(biāo):眼高(Eye Height)和眼寬(Eye Width),反映電信號(hào)質(zhì)量。
測(cè)試環(huán)境:參考的PAM4信號(hào)源與抖動(dòng)、噪聲、碼間干擾注入源,以及參考的光發(fā)射機(jī)產(chǎn)生所需的光壓力信號(hào)。
測(cè)試內(nèi)容:對(duì)光壓力信號(hào)由外圍消光比OER,外光調(diào)制幅度OOMA和壓力眼圖閉合代價(jià)SECQ來表征。
測(cè)試環(huán)境:參考電發(fā)射機(jī)(通常是碼型發(fā)生器)以及抖動(dòng)注入源、碼間干擾源和串?dāng)_源,將壓力電信號(hào)輸入MCB夾具。
測(cè)試內(nèi)容:PAM4電壓力信號(hào)由眼圖對(duì)稱模板寬度ESMW,眼寬EW,眼高EH和附加正弦抖動(dòng)SJ的頻率和幅度來表征。
下圖是測(cè)試中用到的實(shí)際測(cè)試儀器。
系統(tǒng)測(cè)試旨在驗(yàn)證被測(cè)光模塊配合交換機(jī)工作時(shí),在真實(shí)業(yè)務(wù)流量情況下的誤碼率及錯(cuò)誤容忍能力。由于PAM4技術(shù)信噪比惡化,原始誤碼率難以達(dá)到傳統(tǒng)2電平調(diào)制時(shí)的水平,因此采用FEC技術(shù)修正隨機(jī)錯(cuò)誤bit,保證數(shù)據(jù)包丟包率在可接受范圍內(nèi)。典型的系統(tǒng)測(cè)試環(huán)境如下:
測(cè)試包括原始誤碼率和FEC修正后的丟包率測(cè)試,以及在特定錯(cuò)誤符號(hào)或頻率偏差下的系統(tǒng)性能影響驗(yàn)證。
PAM4和FEC技術(shù)的廣泛應(yīng)用使得400G光模塊的測(cè)試和評(píng)估方法與傳統(tǒng)的100G光模塊有所不同。為了確保設(shè)備間的良好互聯(lián)互通及可靠數(shù)據(jù)傳輸,需要對(duì)其輸出質(zhì)量、接收容限以及承載真實(shí)業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)下的誤碼率等進(jìn)行詳細(xì)測(cè)試。
400G光模塊廣泛采用PAM4(4電平脈沖幅度調(diào)制)技術(shù),通過四個(gè)不同的信號(hào)電平進(jìn)行信號(hào)傳輸,每個(gè)符號(hào)周期可表示2個(gè)bit的邏輯信息(0、1、2、3)。這種技術(shù)使得信號(hào)的符號(hào)速率只需達(dá)到NRZ信號(hào)的一半,從而大大減少了傳輸通道造成的損耗。然而,信噪比會(huì)比NRZ信號(hào)惡化很多,且測(cè)量方法存在較大差異。下圖是典型的NRZ信號(hào)的波形、眼圖與PAM4信號(hào)的對(duì)比。
400G光模塊的主要高速接口包括電輸入接口、光輸出接口、光輸入接口、電輸出接口以及其他電源和低速管理接口。因此,電氣性能驗(yàn)證主要涉及光口發(fā)射機(jī)指標(biāo)、光口接收機(jī)容限、電口發(fā)射機(jī)指標(biāo)、電口接收機(jī)容限和系統(tǒng)測(cè)試。
測(cè)試環(huán)境:被測(cè)光模塊插在MCB夾具上,上電并配置正常工作。
測(cè)試內(nèi)容:誤碼儀產(chǎn)生PAM4電激勵(lì)信號(hào)送給光模塊一路電輸入端,使得被測(cè)光模塊輸出SSPRQ的光信號(hào),同時(shí)輸入串?dāng)_信號(hào)。輸出光信號(hào)經(jīng)時(shí)鐘恢復(fù)進(jìn)采樣示波器進(jìn)行參數(shù)測(cè)試。
關(guān)鍵指標(biāo):TDECQ(Transmitter and dispersion eye closure for PAM4),衡量光發(fā)射機(jī)經(jīng)過光通道后PAM4信號(hào)功率裕量的損失。TDECQ的參考測(cè)試方法如下圖所示:
測(cè)試環(huán)境:同上。
測(cè)試內(nèi)容:誤碼儀產(chǎn)生PAM4電激勵(lì)信號(hào)送給光模塊一路電輸入端,光模塊相鄰電通道上輸入PAM4的串?dāng)_信號(hào)。輸出光信號(hào)環(huán)回到光接收機(jī),并測(cè)試其電通道輸出的PRBS13Q信號(hào)參數(shù)。
關(guān)鍵指標(biāo):眼高(Eye Height)和眼寬(Eye Width),反映電信號(hào)質(zhì)量。
測(cè)試環(huán)境:參考的PAM4信號(hào)源與抖動(dòng)、噪聲、碼間干擾注入源,以及參考的光發(fā)射機(jī)產(chǎn)生所需的光壓力信號(hào)。
測(cè)試內(nèi)容:對(duì)光壓力信號(hào)由外圍消光比OER,外光調(diào)制幅度OOMA和壓力眼圖閉合代價(jià)SECQ來表征。
測(cè)試環(huán)境:參考電發(fā)射機(jī)(通常是碼型發(fā)生器)以及抖動(dòng)注入源、碼間干擾源和串?dāng)_源,將壓力電信號(hào)輸入MCB夾具。
測(cè)試內(nèi)容:PAM4電壓力信號(hào)由眼圖對(duì)稱模板寬度ESMW,眼寬EW,眼高EH和附加正弦抖動(dòng)SJ的頻率和幅度來表征。
下圖是測(cè)試中用到的實(shí)際測(cè)試儀器。
系統(tǒng)測(cè)試旨在驗(yàn)證被測(cè)光模塊配合交換機(jī)工作時(shí),在真實(shí)業(yè)務(wù)流量情況下的誤碼率及錯(cuò)誤容忍能力。由于PAM4技術(shù)信噪比惡化,原始誤碼率難以達(dá)到傳統(tǒng)2電平調(diào)制時(shí)的水平,因此采用FEC技術(shù)修正隨機(jī)錯(cuò)誤bit,保證數(shù)據(jù)包丟包率在可接受范圍內(nèi)。典型的系統(tǒng)測(cè)試環(huán)境如下:
測(cè)試包括原始誤碼率和FEC修正后的丟包率測(cè)試,以及在特定錯(cuò)誤符號(hào)或頻率偏差下的系統(tǒng)性能影響驗(yàn)證。
PAM4和FEC技術(shù)的廣泛應(yīng)用使得400G光模塊的測(cè)試和評(píng)估方法與傳統(tǒng)的100G光模塊有所不同。為了確保設(shè)備間的良好互聯(lián)互通及可靠數(shù)據(jù)傳輸,需要對(duì)其輸出質(zhì)量、接收容限以及承載真實(shí)業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)下的誤碼率等進(jìn)行詳細(xì)測(cè)試。